发明名称 Massiver Finfet mit einheitlicher Höhe und Bodenisolierung
摘要 Ein Finnen-Feldeffekttransistor (FinFET), ein Array von FinFETs und Verfahren zur Herstellung derselben. Die FinFETs werden auf einer isolierenden Zone bereitgestellt, welche gegebenenfalls Dotierstoffe enthalten kann. Ferner sind die FinFETs gegebenenfalls mit einem Kontaktfleck bedeckt. Die in einem Array bereitgestellten FinFETs weisen eine einheitliche Höhe auf.
申请公布号 DE112012002832(T5) 申请公布日期 2014.04.10
申请号 DE20121102832T 申请日期 2012.07.03
申请人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP. 发明人 CHENG, KANGGUO;DORIS, BRUCE B.
分类号 H01L29/732 主分类号 H01L29/732
代理机构 代理人
主权项
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