发明名称 Sacrificial Low Work Function Cap Layer
摘要 A method includes forming an interlayer on a substrate, depositing a dielectric on the interlayer to form a dielectric stack, forming a sacrificial cap layer over the dielectric stack, processing the substrate to alter properties of the dielectric stack, and removing the sacrificial cap layer.
申请公布号 US2014099785(A1) 申请公布日期 2014.04.10
申请号 US201213645259 申请日期 2012.10.04
申请人 INTERMOLECULAR, INC. 发明人 MUJUMDAR SALIL;JOSHI AMOL
分类号 H01L21/02 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
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