| 摘要 |
1. Ячейка магнитного оперативного запоминающего устройства (MRAM), содержащая магнитный туннельный переход, содержащий:синтетический слой хранения, образованный из первого ферромагнитного слоя, имеющего первую намагниченность хранения, второго ферромагнитного слоя, имеющего вторую намагниченность хранения, и разделительного слоя между первым и вторым слоями хранения, причем разделительный слой магнитно связывает первый и второй ферромагнитные слои, так что первая намагниченность хранения ориентирована, по существу, антипараллельно по отношению ко второй намагниченности;воспринимающий слой, имеющий намагниченность восприятия, которая является обратимой; итуннельный барьерный слой между воспринимающим слоем и слоем хранения;причем первая намагниченность хранения индуцирует первое локальное магнитное поле рассеяния, а вторая намагниченность хранения индуцирует второе локальное магнитное поле рассеяния, причем разность между первым и вторым локальными магнитными полями рассеяния соответствует результирующему локальному магнитному полю рассеяния, связывающему воспринимающий слой;причем толщина первого ферромагнитного слоя и толщина второго ферромагнитного слоя выбраны так, что результирующее локальное магнитное поле рассеяния, связывающее воспринимающий слой, составляет ниже около 50 Э.2. MRAM ячейка по п. 1, в которойтолщина первого ферромагнитного слоя и толщина второго ферромагнитного слоя выбраны так, что результирующее локальное магнитное поле рассеяния, связывающее воспринимающий слой, является, по существу, нулевым.3. MRAM ячейка по п. 1, в которойтолщина первого ферромагнитного слоя и толщин |
