| 摘要 |
Es ist eine Technologie offenbart, die dazu fähig ist, einen Verlust zum Zeitpunkt eines Schaltens in einer Diode zu reduzieren. Eine in der vorliegenden Spezifikation offenbarte Diode umfasst eine Kathodenelektrode, einen Kathodenbereich, der aus einem Halbleiter einer ersten Leitfähigkeitsart besteht, einen Driftbereich, der aus einem Halbleiter der ersten Leitfähigkeitsart mit niedriger Konzentration besteht, einen Anodenbereich, der aus einem Halbleiter einer zweiten Leitfähigkeitsart besteht, eine Anodenelektrode, die aus Metall besteht, einen Sperrbereich, der zwischen dem Driftbereich und dem Anodenbereich ausgebildet ist und aus einem Halbleiter der ersten Leitfähigkeitsart mit einer höheren Konzentration als jene des Driftbereichs besteht, und einen Säulenbereich, der derart ausgebildet ist, um den Sperrbereich mit der Anodenelektrode zu verbinden, und aus einem Halbleiter der ersten Leitfähigkeitsart mit einer höheren Konzentration als jene des Grenzbereichs besteht. Der Säulenbereich und die Anode sind über einen Schottky-Übergang verbunden. |
