Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements und Feldeffekt-Halbleiterbauelement

摘要

Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements bereitgestellt. Das Verfahren beinhaltet das Bereitstellen eines Wafers, der eine Hauptoberfläche (101) und eine an der Hauptoberfläche (101) angeordnete Siliziumschicht (40) enthält und eine Stickstoffkonzentration von mindestens etwa 3·1014 cm–3 aufweist, und das teilweise Ausdiffundieren von Stickstoff, um die Stickstoffkonzentration mindestens nahe an der Hauptoberfläche (101) zu reduzieren. Weiterhin wird ein Halbleiterbauelement bereitgestellt.