一种阵列基板及其制备方法

摘要

本发明公开了阵列基板及其制备方法，方法包括：提供一基板，形成有包括第一、二TFT的栅极的图形的第一金属层、有源层和栅极绝缘层；在形成的刻蚀阻挡层薄膜上涂覆光刻胶，通过灰度曝光使光刻胶形成具有第一厚度的第一区域、具有第二厚度的第二区域和具有第三厚度的第三区域；通过构图工艺，在第一区域形成刻蚀阻挡层的图形，在第二区域形成连接过孔，在第三区域形成接触过孔；形成第二金属层薄膜，通过构图工艺形成第一、二TFT的源/漏极，两TFT的源/漏极通过接触过孔与有源层电连接；第一TFT的漏极通过连接过孔与第二TFT的栅极电连接。根据刻蚀深度不同设置不同厚度的光刻胶，避免较浅过孔的过刻。

主权项

一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：提供一基板，该基板上形成有第一金属层、栅极绝缘层和有源层，其中第一金属层包括第一薄膜晶体管TFT的栅极和第二TFT的栅极的图形；在所述基板上形成刻蚀阻挡层薄膜；在所述刻蚀阻挡层薄膜上涂覆光刻胶，通过灰度曝光使光刻胶形成具有第一厚度的第一区域、具有第二厚度的第二区域和具有第三厚度的第三区域；其中，所述第一厚度、所述第二厚度和所述第三厚度均不相等，所述第一厚度大于所述第二厚度和所述第三厚度；通过构图工艺，在所述第一区域形成刻蚀阻挡层的图形，在所述第二区域形成用于连接第一TFT漏极和第二TFT栅极的连接过孔，在所述第三区域形成用于连接源/漏极与有源层的接触过孔；在完成上述步骤的基板上形成第二金属层薄膜，通过构图工艺形成所述第一TFT的源极和漏极，及形成第二TFT的源极和漏极；两TFT的源极和漏极分别通过所述接触过孔与所述有源层电连接；所述第一TFT的漏极通过所述连接过孔与所述第二TFT的栅极电连接。