形成薄膜电阻器的方法

摘要

本发明公开了形成薄膜的方法。一种这样的方法可包括溅射靶材来形成第一薄膜电阻器和调整沉积参数以调节随后形成的第二薄膜电阻器的属性。例如，衬底偏压和/或衬底温度可被调整来调节所述第二薄膜电阻器的属性。所述第二薄膜电阻器的电阻温度系数（TCR）和/或另一属性可通过调整所述沉积参数而进行调节。溅射到所述衬底上的所述靶材可包括例如Cr合金、Ni合金、SiCr、NiCr等等。可在所述衬底偏压和/或衬底温度与所述薄膜电阻器属性之间建立关系，并且所述关系可用来选择所要属性值的沉积条件。

主权项

一种形成薄膜电阻器的方法，所述方法包括：溅射材料以形成第一薄膜电阻器，所述溅射是非反应性溅射；在溅射所述材料后调整沉积参数以形成所述第一薄膜电阻器；和在所述调整之后，通过溅射基本上相同的材料来形成第二薄膜电阻器，用所述调整的沉积参数来调节所述第二薄膜电阻器相对于所述第一薄膜电阻器的电阻温度系数（TCR）的TCR。