一种SOI压力应变计及其制作方法

摘要

本发明公开了一种SOI压力应变计及其制作方法，所述应变计的硅衬底为单晶硅或多晶硅材料，在硅衬底表面形成二氧化硅绝缘薄膜，在绝缘薄膜表面再形成单晶硅或多晶硅薄膜作为力敏电阻制作材料，通过半导体平面工艺形成2个或4个电学性能完全绝缘的力敏电阻，通过内金属引线把力敏电阻连接成半桥或全桥惠斯顿电路。金属内引线是在掺浓硼的单晶硅或多晶硅层表面行走。二氧化硅绝缘薄膜电阻率高达1015Ω-cm，保证力敏电阻之间没有电泄漏。因此可用于工作温度高达300℃以上的军事工业上。由于采用了高浓度的单晶硅或多晶硅材料制作力敏电阻，所以灵敏度和零点的温度系数达到了10-6VB/℃以上。具有高温低漂移的优良特性。

主权项

一种SOI压力应变计，包括压力应变计，其特征在于：所述压力应变计包括SOI绝缘硅片，所述SOI绝缘硅片从下至上依次包括硅衬底、二氧化硅绝缘薄膜和硅薄膜，所述硅薄膜上设置有两个或四个的力敏电阻，所述力敏电阻上设有内引线通道，所述内引线通道内设置有金属内引线，还包括用于与传感器芯片连接的铝电极，所述力敏电阻通过金属内引线相互连接和/或与铝电极连接组成压力测量电路。