P型LDMOS中改善漏电的工艺方法

摘要

本发明公开了一种P型LDMOS中改善漏电的工艺方法，包括步骤：1）在多晶硅栅极刻蚀形成后，在作为第二氧化层的牺牲氧化层表面和多晶硅栅极的周围淀积第一氧化层；2）干法刻蚀淀积的第一氧化层，形成多晶硅栅极侧墙；3）湿法刻蚀，去除牺牲氧化层；4）进行快速加热退火和快速热氧化，形成第三氧化层；5）进行源漏注入、侧墙工艺，完成P型LDMOS的制作。通过本发明栅极刻蚀后的工艺修复，可将漏电在原来基础之上降低至少一个数量级，而且没有对其他参数产生任何影响，即不会对器件的其他性能造成影响，适合PLDMOS应用。

主权项

一种P型LDMOS中改善漏电的工艺方法，其特征在于，包括步骤：（1）在多晶硅栅极刻蚀形成后，在作为第二氧化层的牺牲氧化层表面和多晶硅栅极的周围淀积第一氧化层；（2）干法刻蚀淀积的第一氧化层，形成多晶硅栅极侧墙；（3）湿法刻蚀，去除牺牲氧化层；（4）进行快速加热退火和快速热氧化，在有源区上形成第三氧化层；（5）进行源漏注入、侧墙工艺，完成P型LDMOS的制作。