发明名称 |
阻挡层抛光溶液 |
摘要 |
适用于在非铁互连金属的存在下优先去除阻挡层材料并且具有有限的电介质侵蚀的抛光溶液。该抛光溶液包含0至20wt%的氧化剂,至少0.001wt%的抑制剂以便降低该非铁互连金属的去除速率,10ppb至4wt%的配位剂,0至50wt%的研磨剂和余量的水;而且该溶液具有小于7的pH。 |
申请公布号 |
CN1696235B |
申请公布日期 |
2014.04.09 |
申请号 |
CN200510067350.0 |
申请日期 |
2005.04.20 |
申请人 |
CMP罗姆和哈斯电子材料控股公司 |
发明人 |
刘振东;J·匡西;R·E·施密特;T·M·托马斯 |
分类号 |
C09K3/14(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I |
主分类号 |
C09K3/14(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
范征 |
主权项 |
1.用于在非铁互连金属的存在下优先去除阻挡层材料的抛光溶液,该抛光溶液包含:0.01wt%至15wt%的过氧化氢氧化剂,0.05wt%至2wt%的唑类抑制剂以便降低该非铁互连金属的去除速率,1ppm至1wt%的配位剂,25ppm至1wt%由下列结构形成的含有机物铵盐:<img file="FDA0000398869090000011.GIF" wi="418" he="415" />其中R<sub>1</sub>,R<sub>2</sub>,R<sub>3</sub>和R<sub>4</sub>是有机基团且R<sub>1</sub>具有2至5个碳原子的碳链长度,0wt%至10wt%的表面活性剂,0.1wt%至40wt%的胶态氧化硅研磨剂和余量的水;而且该溶液具有2-4的pH;其中由包含下列化合物中至少一种的化合物形成该铵盐:四乙铵,四丁铵,苄基三丁铵,苄基三甲铵,苄基三乙铵,二烯丙基二甲铵,甲基丙烯酸二乙基氨基乙酯,甲基丙烯酸二甲基氨基乙酯,甲基丙烯酰氧基乙基三甲铵,3-(甲基丙烯酰氨基)丙基三甲铵和它们的混合物;且其中,所述配位剂是已二胺四乙酸或其盐。 |
地址 |
美国特拉华 |