发明名称 |
多模式交变耦合磁场辅助电弧离子镀沉积弧源设备 |
摘要 |
本发明涉及表面防护领域,具体地说是一种改善电弧离子镀沉积工艺的多模式交变耦合磁场辅助电弧离子镀沉积弧源设备。该设备的轴对称磁场发生装置放置于靶材后面,由放置于靶材后面的高导磁率磁轭及与磁轭同轴放置的电磁线圈组成,或者由单个或两个以上永久磁体配合磁轭组成;聚焦导引磁场发生装置由电磁线圈组成,放置于靶材前面,与靶材同轴放置,装置的中心与靶面平齐或略高于靶面;本发明通过两组磁场发生装置配合使用,在靶面上形成动态分布的耦合磁场,达到改善弧斑的放电形式和工作稳定性,控制弧斑的运动轨迹,提高靶材刻蚀均匀性和靶材利用率,减少靶材大颗粒的发射,提高等离子体传输效率,用以制备高质量的薄膜的目的。 |
申请公布号 |
CN102953035B |
申请公布日期 |
2014.04.09 |
申请号 |
CN201210431983.5 |
申请日期 |
2012.11.02 |
申请人 |
温州职业技术学院 |
发明人 |
郎文昌;王向红;李明霞 |
分类号 |
C23C14/32(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/32(2006.01)I |
代理机构 |
沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 |
代理人 |
张志伟 |
主权项 |
多模式交变耦合磁场辅助电弧离子镀沉积弧源设备,其特征在于,所述多模式交变耦合磁场辅助电弧离子镀沉积弧源设备设有动态耦合磁场发生装置、靶材、靶材底座,靶材安装于靶材底座上;动态耦合磁场发生装置由轴对称磁场发生装置和聚焦导引磁场发生装置构成,轴对称磁场发生装置放置于靶材后面,由放置于靶材后面的高导磁率磁轭及与磁轭同轴放置的电磁线圈组成,或者由单个或两个以上永久磁体配合磁轭组成;聚焦导引磁场发生装置由电磁线圈组成,放置于靶材前面,与靶材同轴放置,装置的中心与靶面平齐或略高于靶面;动态耦合磁场由动态轴对称发散磁场叠加静态聚焦导引磁场形成或者由静态轴对称发散磁场叠加动态聚焦导引磁场形成或者由磁场强度一定的静态轴对称拱形磁场耦合动态的聚焦轴向引导磁场形成或者由强度周期性变化的轴对称拱形磁场耦合磁场强度一定的聚焦轴向引导磁场形成。 |
地址 |
325035 浙江省温州市茶山高教园区(温州大学城) |