| 发明名称 | 获取光阻厚度变化和监控光阻厚度对图形尺寸影响的方法 | ||
| 摘要 | 一种获取光阻厚度变化的方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成一定厚度的光阻层，所述光阻层的厚度为摇摆曲线中相邻波峰和波谷中间点对应的光阻厚度；对所述一定厚度的光阻层进行曝光，显影，形成光阻开口；量测所述光阻开口的图形尺寸；根据光阻开口的图形尺寸以及摇摆曲线，获取光阻厚度的变化值。通过选定摇摆曲线中相邻波峰和波谷中间点对应的光阻厚度为光阻厚度的监控点，不仅可以获取光阻厚度的变化，还可以监控光阻厚度对图形尺寸的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN102508413B | 申请公布日期 | 2014.04.09 |
| 申请号 | CN201110328167.7 | 申请日期 | 2011.10.25 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 王剑 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 陆花 |
| 主权项 | 一种获取光阻厚度变化的方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成一定厚度的光阻层；对所述一定厚度的光阻层进行曝光，显影，形成光阻开口；量测所述光阻开口的图形尺寸；根据光阻开口的图形尺寸以及摇摆曲线，获取光阻厚度的变化值；其特征在于，所述光阻层的厚度为摇摆曲线中相邻波峰和波谷中间点对应的光阻厚度。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 | ||