半导体器件制作方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件制作方法，进行化学机械研磨工艺时，去除所述冗余金属槽、辅助图形冗余金属槽和辅助图形冗余金属槽、辅助图形冗余金属槽内部分或全部的金属层，可有效地扩大光刻工艺窗口并且减少或完全消除冗余金属线和辅助图形冗余金属线填充引入的金属层内和金属层间的耦合电容。

主权项

一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括冗余金属区、辅助图形冗余金属区和非冗余金属区；在所述半导体衬底上形成第一介质层；在所述冗余金属区和辅助图形冗余金属区上的第一介质层表面形成刻蚀阻挡层；在所述第一介质层和刻蚀阻挡层表面形成第二介质层；刻蚀所述第一介质层、第二介质层和刻蚀阻挡层，以形成冗余金属槽、辅助图形冗余金属槽和金属导线槽，所述刻蚀阻挡层的刻蚀速率小于所述第一介质层和第二介质层的刻蚀速率，所述冗余金属槽、辅助图形冗余金属槽的深度小于所述金属导线槽的深度；其中，刻蚀所述第一介质层、第二介质层和刻蚀阻挡层的步骤包括：在所述第二介质层表面形成具有通孔图案的掩膜层；刻蚀所述非冗余金属区上的第二介质层形成通孔；在所述第二介质层表面形成具有冗余金属槽、辅助图形冗余金属槽和金属导线槽图案的掩膜层；刻蚀第一介质层、第二介质层和刻蚀阻挡层，以在所述通孔位置形成金属导线槽，并在冗余金属区和辅助图形冗余金属区上形成冗余金属槽、辅助图形冗余金属槽；在所述冗余金属槽、辅助图形冗余金属槽和金属导线槽内以及介质层上沉积金属层；进行化学机械研磨工艺，直至去除所述冗余金属槽和辅助图形冗余金属槽内部分或全部的金属层。