发明名称 | 用于异常工具和阶段诊断的2D/3D分析 | ||
摘要 | 本发明公开了一种用于分析半导体加工系统的异常的方法,提供了对用于多个加工晶圆中的每个加工晶圆的多个工艺步骤的每个工艺步骤处与多个工具中的每个工具相关联的生产历史进行方差分析,以及确定关键工艺步骤。对每个工艺步骤处的多个晶圆的多个测量值进行回归分析,并且确定关键测量参数。对关键测量参数和关键工艺步骤进行协方差分析,并且基于f比率对关键工艺步骤进行排序,其中对关键工艺步骤的异常进行排序。而且,基于与协方差分析相关联的正交t比率来对与关键工艺步骤的每个工艺步骤相关联的多个工具排序,其中对与关键工艺步骤相关联的每个工具的异常进行排序。本发明还提供了用于异常工具和阶段诊断的2D/3D分析。 | ||
申请公布号 | CN103714191A | 申请公布日期 | 2014.04.09 |
申请号 | CN201310231147.7 | 申请日期 | 2013.06.09 |
申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 林俊贤;陈瑞龙;赵蕙韵;牟忠一;林进祥 |
分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I |
代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
主权项 | 一种用于确定半导体加工系统中的异常设备的方法,所述方法包括:加工多个晶圆,所述多个晶圆中的每个晶圆都经历了多个工艺步骤,并且每个工艺步骤都与多个加工工具相关联,通过与所述多个工艺步骤中的每个工艺步骤相关联的多个工具之一来加工每个晶圆;提供在用于所述多个加工晶圆的每个加工晶圆的所述多个工艺步骤的每个工艺步骤处与所述多个工具中的每个工具相关联的生产历史;对所述生产历史进行方差分析;提供在每个工艺步骤处与所述多个晶圆相关联的多个测量值;对所述多个测量值进行回归分析;基于对所述多个测量值的回归分析来确定关键测量参数;基于对所述生产历史的方差分析来确定关键工艺步骤;对所述关键测量参数和所述关键工艺步骤进行协方差分析;基于与对所述关键工艺步骤的协方差分析相关联的f比率,对所述关键工艺步骤进行排序,其中对所述关键工艺步骤的异常进行排序;以及基于与协方差分析相关联的正交t比率,对与每个所述关键工艺步骤相关联的所述多个工具进行排序,其中对与所述关键工艺步骤相关联的每个工具的异常进行排序。 | ||
地址 | 中国台湾新竹 |