发明名称 | 晶体管的形成方法 | ||
摘要 | 一种晶体管的形成方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底表面具有栅极结构;以所述栅极结构为掩膜,在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成开口;在所述开口的底部表面、以及靠近底部的部分侧壁表面形成掺杂材料层,所述掺杂材料层暴露出所述开口靠近半导体衬底表面的部分侧壁表面,所述掺杂材料层内含有掺杂离子;对所述掺杂材料层进行热退火,使所述掺杂材料层中的掺杂离子自所述开口的底部、和靠近底部的部分侧壁表面扩散入半导体衬底内,在所述开口内由所述掺杂材料层覆盖的半导体衬底表面形成掺杂层;在所述热退火工艺之后,去除剩余的掺杂材料层;在去除剩余的掺杂材料层之后,在所述开口内形成应力层。所形成的晶体管性能良好。 | ||
申请公布号 | CN103715089A | 申请公布日期 | 2014.04.09 |
申请号 | CN201210378716.6 | 申请日期 | 2012.09.29 |
申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 隋运奇;李凤莲 |
分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
主权项 | 一种晶体管的形成方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底表面具有栅极结构;以所述栅极结构为掩膜,在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成开口;在所述开口的底部表面、以及靠近底部的部分侧壁表面形成掺杂材料层,所述掺杂材料层暴露出所述开口靠近半导体衬底表面的部分侧壁表面,所述掺杂材料层内含有掺杂离子;对所述掺杂材料层进行热退火,使所述掺杂材料层中的掺杂离子自所述开口的底部、和靠近底部的部分侧壁表面扩散入半导体衬底内,在所述开口内由所述掺杂材料层覆盖的半导体衬底表面形成掺杂层;在所述热退火工艺之后,去除剩余的掺杂材料层;在去除剩余的掺杂材料层之后,在所述开口内形成应力层。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 |