发明名称 |
一种硅块抛光方法 |
摘要 |
本发明公开了一种硅块抛光方法,包括:采用金刚砂磨石进行研磨,对开方后的硅块进行形状修正和初步表面处理;采用毛刷对经过所述第一抛光工序处理的硅块进行研磨,去除硅块表面的损伤层;其中,所述毛刷包括第一毛刷和第二毛刷;所述第一毛刷位于毛刷的内部;所述第二毛刷位于所述第一毛刷的外侧,其刷毛目数和刷毛长度均大于所述第一毛刷;所述硅块的进给速度为14mm/S~16mm/S,所述金刚砂磨石转速为2600r/min~2800r/min,所述毛刷转速为1000r/min~1200r/min。该方法使用金刚砂磨石和毛刷分前后两道工序,并采用特定的进给速度和转速对硅块进行抛光,可显著提高硅块抛光质量、降低材料消耗、控制设备磨损,保证硅片切割质量。 |
申请公布号 |
CN103707175A |
申请公布日期 |
2014.04.09 |
申请号 |
CN201310755749.2 |
申请日期 |
2013.12.30 |
申请人 |
天津英利新能源有限公司 |
发明人 |
马帅;王鑫波;王康 |
分类号 |
B24B37/04(2012.01)I;B24B37/34(2012.01)I |
主分类号 |
B24B37/04(2012.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
魏晓波 |
主权项 |
一种硅块抛光方法,包括:第一抛光工序,采用金刚砂磨石进行研磨,对开方后的硅块进行形状修正和初步表面处理;第二抛光工序,采用毛刷对经过所述第一抛光工序处理的硅块进行研磨,去除硅块表面的损伤层;其中,所述毛刷为组合毛刷,包括第一毛刷和第二毛刷;所述第一毛刷位于毛刷的内部;所述第二毛刷位于所述第一毛刷的外侧,其刷毛目数和刷毛长度均大于所述第一毛刷;所述硅块的进给速度为14mm/S~16mm/S,所述金刚砂磨石转速为2600r/min~2800r/min,所述毛刷转速为1000r/min~1200r/min。 |
地址 |
301510 天津市滨海新区津汉公路13888号滨海高新区滨海科技园日新道188号 |