发明名称 |
一种改善硅片翘曲度的深沟槽制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种改善硅片翘曲度的深沟槽制造方法,包括如下步骤:⑴在硅片上利用光刻掩膜版曝出硅片上所有结构单元的深沟槽图形;所述的单个结构单元内的深沟槽图形是旋转对称图形;所述硅片上所有结构单元排列也是旋转对称的;⑵采用干法刻蚀工艺制作指定的深度和特征尺寸的深沟槽;⑶对深沟槽进行填充。本发明通过改变深沟槽图形的形状,采用具有旋转对称性的图形或组合图形,保证硅片在对称的方向上的接触界面面积基本相等,从而保证硅片上各个方向的应力对称分布,确保不会在某一个方向上的应力过大。这种方法能够使得硅片各个方向的翘曲度比较均匀,从而极大地改善硅片的翘曲度。 |
申请公布号 |
CN103715130A |
申请公布日期 |
2014.04.09 |
申请号 |
CN201210378133.3 |
申请日期 |
2012.09.29 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
成鑫华;许升高;程晓华 |
分类号 |
H01L21/762(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/762(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
王函 |
主权项 |
一种改善硅片翘曲度的深沟槽制造方法,其特征在于:包括如下步骤:⑴在硅片上利用光刻掩膜版曝出硅片上所有结构单元的深沟槽图形;所述的单个结构单元内的深沟槽图形是旋转对称图形;所述硅片上所有结构单元排列也是旋转对称的;⑵采用干法刻蚀工艺制作指定的深度和特征尺寸的深沟槽;⑶对深沟槽进行填充。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |