| 发明名称 | 一种硅基复合衬底及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于制备氮化物半导体外延材料的硅基复合衬底及其制造方法，该硅基复合衬底包含：一硅单晶基底；一复合应力协变层，形成在硅单晶基底上，该复合应力协变层由氮化铝和氮化钛单晶薄膜材料彼此多次交叠构成；一氮化镓模板层，形成在复合应力协变层上，该氮化镓模板层由氮化镓单晶薄膜材料构成。该硅基复合衬底克服了硅基氮化镓材料大晶格失配问题和大热失配问题，能够大幅度降低氮化镓LED外延片材料制备成本，适合应用与市场推广。 | ||
| 申请公布号 | CN102208337B | 申请公布日期 | 2014.04.09 |
| 申请号 | CN201010156392.2 | 申请日期 | 2010.03.30 |
| 申请人 | 杭州海鲸光电科技有限公司 | 发明人 | 施建江;杨少延;刘祥林 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L33/12(2010.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陶凤波;屈玉华 |
| 主权项 | 一种用于制备氮化物半导体外延材料的硅基复合衬底，其特征在于，包含：一硅单晶基底；一复合应力协变层，形成在所述硅单晶基底上，所述复合应力协变层由氮化铝和氮化钛单晶薄膜材料彼此多次交叠构成；一氮化镓模板层，形成在所述复合应力协变层上，所述氮化镓模板层由氮化镓单晶薄膜材料构成。 | ||
| 地址 | 311200 浙江省杭州市萧山经济开发区江东工业园区青六北路1299号 | ||