存储器单元

摘要

一些实施例包括含有浮动主体及二极管的存储器单元。所述二极管可为具有掺杂为与所述浮动主体相同的导电性类型的区段的选通二极管，且所述选通二极管的此些区段可电连接到所述浮动主体。所述浮动主体可邻近沟道区域，且通过电介质结构与所述沟道区域间隔开。存储器单元的所述电介质结构可具有位于所述浮动主体与所述二极管之间的第一部分，且可具有位于所述浮动主体与所述沟道区域之间的第二部分。所述第一部分可比所述第二部分更能泄漏电荷载子。所述二极管可形成于不同于所述沟道区域位于其中的半导体材料的半导体材料中。所述浮动主体可具有球茎状下部区域。一些实施例包括制作存储器单元的方法。

主权项

一种存储器单元，其包含：浮动主体，其含有经掺杂半导体材料；选通二极管；所述选通二极管具有掺杂为与所述浮动主体相同的导电性类型的区段；所述选通二极管的所述区段经由从所述选通二极管的所述区段延伸到所述浮动主体的电连接而电连接到所述浮动主体；栅极，其经配置以选通所述选通二极管；其中所述浮动主体及所述选通二极管由半导体基底支撑且彼此横向间隔开；且所述存储器单元进一步包含在所述浮动主体与所述选通二极管之间的空间中延伸到所述基底中的隔离区域；其中所述半导体基底具有平面上表面；其中电介质材料层位于所述平面上表面上方，其中所述电介质材料层具有平面上表面；其中所述隔离区域包含延伸穿过所述电介质材料层的电绝缘材料；其中所述浮动主体位于所述电介质材料层的所述平面上表面上方且直接抵靠所述平面上表面；其中所述栅极位于所述电介质材料的所述平面上表面上方且直接抵靠所述平面上表面；且其中所述电连接由在所述隔离区域的所述电绝缘材料上方且跨越所述电介质材料的所述平面上表面延伸的导线构成。