单片玻璃及单层玻璃黑色矩阵的光刻生产工艺

摘要

本发明公开了一种单片玻璃及单层玻璃黑色矩阵的光刻生产工艺，采用负型光阻剂或等量曝光型光阻剂，同时采用与光阻剂相对应的显影剂，将光罩与玻璃基板之间的距离设定在＞400µm范围内，将光罩设计图的图案尺寸缩小1~10µm，本发明减去以往的一道OC制程，也在不需要其他技术的支持下，就能改善电容屏的生产工艺，不仅避免了在OC制程中出现的种种问题，提高了电容屏产品的良率，既节约了生产成本，也大大提高了电容屏产品的生产效率。

主权项

单片玻璃和单层玻璃中黑色矩阵的光刻生产工艺，其特征在于，包括光罩，光罩设置有透光区，透光区的上方安装有汞灯，下方放置有玻璃基板，光罩与玻璃基板之间的距离大于400µm，汞灯发射的平行光透过光罩透光区投射到玻璃基板上，形成高能量光和低能量光，其中高能量光光线与玻璃基板垂直且强度均等，强度为80~150mJ/cm2，低能量光强度按等比例下降，使光罩设计图的图案尺寸缩小1~10µm，其工艺步骤如下：1）玻璃基板入料，确认玻璃基板尺寸大小及玻璃基板的正反面后再投料；2）紫外线洗净，采用紫外线照射，时间为20~40s；3）药液洗净，中性清洗剂与纯水的比例为3%~5%，温度为40℃，液压为0.3~0.5Mpa；4）纯水洗净，水洗温度为22℃常温状态，水洗压力为0.4~0.6Mpa；高压洗净时，压力为0.6Mpa；5）干燥，采用红外线加热，温度为60~80℃，加热玻璃基板温度为30~50℃，加热时间为3~5min；6）光阻涂布，使用旋转式涂布机，将光阻剂涂布到玻璃基板上，将光阻层的膜厚控制在1.5~2.0µm，涂布机转速设定为650~850rpm，旋转时间6~8s；7）软烤光阻，软烤温度为60~100℃，烘烤时间为5~10min；8）曝光，将光罩与玻璃基板之间的距离增加到400µm以上，曝光能量设定为80~150mJ/cm2；9）显影，设定温度是18~28℃，显影时间为20~60s；10）硬烤，温度为150~250℃，时间为20~60min；其中，所述光阻剂为等量曝光型黑色负型光阻剂。