半导体器件

摘要

通过使用化合物半导体层（沟道层CNL）形成晶体管SEL。沟道层CNL形成于缓冲层BUF之上。在其中布置晶体管SEL的漏极电极DRE、栅极电极GE和源极电极SOE的第一方向上，掩埋电极BE的至少一部分关于栅极电极GE被定位于与源极电极相对的侧上。掩埋电极BE连接到晶体管SEL的源极电极SOE。掩埋电极BE的顶端侵入到缓冲层BUF中。

主权项

一种半导体器件，包括衬底，具有基部层、形成于所述基部层之上的缓冲层以及形成于所述缓冲层之上的化合物半导体层，晶体管，具有形成于所述化合物半导体层中的沟道，并且具有漏极、栅极电极和源极，以及掩埋电极，被掩埋于所述化合物半导体层中，具有侵入到所述缓冲层中的顶端，并且其至少一部分在第一方向上关于所述栅极电极被定位于与所述源极相对的侧上，在所述第一方向上布置所述漏极、所述栅极电极和所述源极，以及连接构件，用于连接所述掩埋电极和所述源极。