| 发明名称 | 在半导体管芯上形成支撑层的半导体器件和方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及在半导体管芯上形成支撑层的半导体器件和方法。一种半导体器件包括半导体管芯。密封剂在半导体管芯周围形成。堆积互连结构在半导体管芯的第一表面和密封剂上形成。第一支撑层在半导体管芯的第二表面上形成为与堆积互连结构相对布置的支撑基板或硅晶片。第二支撑层在第一支撑层上形成并且包括纤维增强聚合复合物材料，该纤维增强聚合复合物材料包括所包含的面积大于或等于半导体管芯的占位区的面积的占位区。该半导体管芯包括小于450微米(µm)的厚度。半导体管芯的厚度比半导体器件的总厚度与堆积互连结构和第二支撑层的厚度之间的差异小至少1µm。 | ||
| 申请公布号 | CN103715104A | 申请公布日期 | 2014.04.09 |
| 申请号 | CN201310385249.4 | 申请日期 | 2013.08.30 |
| 申请人 | 新科金朋有限公司 | 发明人 | 林耀剑;陈康;顾煜 |
| 分类号 | H01L21/50(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 陈岚 |
| 主权项 | 一种制作半导体器件的方法，包括：提供半导体管芯；在所述半导体管芯周围形成密封剂；在所述半导体管芯的第一表面和所述密封剂上形成堆积互连结构；在半导体管芯的第二表面上将与所述堆积互连结构相对布置的第一支撑层形成为支撑基板或硅晶片；以及在所述第一支撑层上形成第二支撑层。 | ||
| 地址 | 新加坡新加坡市 | ||