| 发明名称 | 化合物半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供化合物半导体器件及其制造方法。具体而言，提供一种AlGaN/GaN HEMT，其包括：化合物半导体层叠结构；以及覆盖化合物半导体层叠结构的表面的层间绝缘膜，层间绝缘膜包括第一绝缘膜和形成在第一绝缘膜上以填充第一绝缘膜的表面上的不规则结构并且具有平坦表面的第二绝缘膜。 | ||
| 申请公布号 | CN103715251A | 申请公布日期 | 2014.04.09 |
| 申请号 | CN201310438756.X | 申请日期 | 2013.09.24 |
| 申请人 | 富士通株式会社;富士通半导体股份有限公司 | 发明人 | 西森理人;渡边芳孝 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;全万志 |
| 主权项 | 一种化合物半导体器件，包括：化合物半导体层叠结构；以及覆盖所述化合物半导体层叠结构的表面的层间绝缘膜，所述层间绝缘膜包括：第一绝缘膜；以及形成在所述第一绝缘膜上以填充所述第一绝缘膜的表面上的不规则结构并且具有平坦表面的第二绝缘膜。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||