| 发明名称 | 氮化物半导体发光器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及氮化物半导体发光器件及其制作方法。一种用于制作发光器件的方法包括如下步骤：在其中已经使用了含Mg原料的反应器中在衬底上形成包含In的层；以及在包含In的层上形成包括氮化物半导体的有源层。 | ||
| 申请公布号 | CN103715314A | 申请公布日期 | 2014.04.09 |
| 申请号 | CN201310465679.7 | 申请日期 | 2013.10.09 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 川岛毅士 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 欧阳帆 |
| 主权项 | 一种用于制作发光器件的方法，所述发光器件具有包括氮化物半导体的有源层，所述方法包括如下步骤：在其中已经使用了含Mg原料的反应器中在衬底上形成包含In的层；以及在包含In的层上形成包括氮化物半导体的有源层。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||