| 发明名称 | 钛酸钡系半导体瓷器组合物以及使用其的PTC热敏电阻 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种居里点低、能够进行低温工作、并且室温电阻低、电阻-温度特性高的钛酸钡系半导体瓷器组合物以及使用其的PTC热敏电阻。在钛酸钡系半导体瓷器组合物中，将Ba位点和Ti位点的摩尔比设为0.985≤Ti位点／Ba位点，以7.0mol％≤Sr≤17.0mol％12.5mol％≤Ca≤19.0mol％0.035mol％≤Mn≤0.074mol％的比例含有Sr、Ca、以及Mn。此外，将Ba位点与Ti位点的摩尔比，设为0.985≤Ti位点／Ba位点≤1.005的范围。 | ||
| 申请公布号 | CN103708824A | 申请公布日期 | 2014.04.09 |
| 申请号 | CN201310421383.5 | 申请日期 | 2013.09.16 |
| 申请人 | 株式会社村田制作所 | 发明人 | 松永达也 |
| 分类号 | C04B35/468(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/468(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王玉玲 |
| 主权项 | 一种钛酸钡系半导体瓷器组合物，其特征在于，Ba位点与Ti位点的摩尔比为0.985≤Ti位点／Ba位点，以7.0mol％≤Sro<17.0mol％12.5mol％≤Ca≤19.0mol％0.035mol％≤Mn≤0.074mol％的比例含有Sr、Ca、以及Mn。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||