发明名称 |
掩膜版组、薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示装置 |
摘要 |
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种掩膜版组、薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、以及显示装置,用以解决显示装置的显示屏的亮度比较小的问题。本发明实施例提供一种薄膜晶体管,薄膜晶体管的有源层与漏电极的交叠区域在与数据线平行的方向上的最大尺寸值小于所述有源层与源电极的交叠区域中与所述数据线重合的一条边的尺寸值;其中,所述源电极为位于所述有源层与所述数据线交叠区域的数据线部分。本发明实施例增大了像素单元的开口区,提高了光的透过率,使得包含像素单元的显示装置的显示屏的亮度变大;并在一定程度上避免画面闪烁问题,提高了画面显示质量。 |
申请公布号 |
CN103715095A |
申请公布日期 |
2014.04.09 |
申请号 |
CN201310741648.X |
申请日期 |
2013.12.27 |
申请人 |
北京京东方光电科技有限公司 |
发明人 |
薛艳娜;董学;陈小川;薛海林 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;G03F1/00(2012.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 |
代理人 |
黄志华 |
主权项 |
一种掩膜版组,用于薄膜晶体管制作,其特征在于,包括:第一掩膜版;所述第一掩膜版用于制作薄膜晶体管的有源层,其在所述有源层区域的图案满足:所述有源层与所述薄膜晶体管的漏电极的交叠区域在与数据线平行的方向上的最大尺寸值小于所述有源层与所述薄膜晶体管的源电极的交叠区域中与所述数据线重合的一条边的尺寸值;其中,所述源电极为位于所述有源层与所述数据线交叠区域的数据线部分。 |
地址 |
100176 北京市大兴区经济技术开发区西环中路8号 |