发明名称 |
一种微米/纳米二级阵列结构薄膜太阳能电池及其制备方法 |
摘要 |
本发明属于太阳能光伏电池技术领域,特别涉及一种微米/纳米二级阵列结构薄膜太阳能电池及其制备方法;所述薄膜太阳能电池包括衬底,衬底上依次是背电极、p型半导体微米/纳米二级阵列、n型半导体层、窗口层和金属栅格电极。本发明应用化学浴沉积技术在Cu2S微米/纳米二级阵列的基础上,制备出微米/纳米二级阵列结构薄膜太阳能电池的吸收层,制备方法简单,相比于需要高真空条件或者高温条件制备吸收层的方法,该技术具有成本较低,对设备要求不高,反应物容易得到,制备温度较低,反应条件易控制、可以方便地进行大面积应用等优点。 |
申请公布号 |
CN103715280A |
申请公布日期 |
2014.04.09 |
申请号 |
CN201310746824.9 |
申请日期 |
2013.12.30 |
申请人 |
商丘师范学院 |
发明人 |
李立强;任山;陈文聪;陈圆圆 |
分类号 |
H01L31/0236(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0236(2006.01)I |
代理机构 |
郑州天阳专利事务所(普通合伙) 41113 |
代理人 |
童冠章 |
主权项 |
一种微米/纳米二级阵列结构薄膜太阳能电池,其特征在于,所述薄膜太阳能电池包括衬底,衬底上依次是背电极、p型半导体微米/纳米二级阵列、n型半导体层、窗口层和金属栅格电极;所述p型半导体微米/纳米二级阵列是在Cu2S微米/纳米二级阵列的表层沉积铜、铟、镓、硒元素中的一种或者几种,再经过硒化或硫化后得到;Cu2S微米/纳米二级阵列包括微米级的Cu2S球冠,和生长在Cu2S球冠表面的纳米级的Cu2S纳米线;其中,Cu2S纳米线的直径为10‑500nm,长度为100nm‑500μm;Cu2S球冠的直径为0.5‑100μm,Cu2S球冠之间的间隔为0.01‑100μm。 |
地址 |
476000 河南省商丘市平原中路55号 |