| 发明名称 | 薄膜晶体管、TFT阵列基板及其制造方法和显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明实施例提供了一种薄膜晶体管、TFT阵列基板及其制造方法和显示装置，解决了了现有的底栅型TFT阵列基板的结构，容易发生栅极绝缘层被击穿的问题。本发明实施例提供的薄膜晶体管TFT，该TFT的源电极包括第一源电极部，该TFT的漏电极包括第一漏电极部，其中，第一源电极部和第一漏电极部与该TFT的有源层同层设置且分别位于该有源层的两侧，且该第一源电极部和该第一漏电极部分别与该有源层直接接触。由于第一源电极部和第一漏电极部与栅电极之间不重叠或重叠区域很小，一般不会形成电容，因此，避免了由于源/漏电极上的电压过大，或者源/漏电极上的静电电荷聚集过多，而导致的栅极绝缘层被击穿的现象。 | ||
| 申请公布号 | CN103715267A | 申请公布日期 | 2014.04.09 |
| 申请号 | CN201310746662.9 | 申请日期 | 2013.12.30 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 王东方;刘威;陈海晶 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管TFT，其特征在于，所述TFT的源电极包括第一源电极部，所述TFT的漏电极包括第一漏电极部，其中，所述第一源电极部和所述第一漏电极部与所述TFT的有源层同层设置且分别位于所述有源层的两侧，且所述第一源电极部和所述第一漏电极部分别与所述有源层直接接触。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||