| 发明名称 | 半导体器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件及其形成方法，其中，半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有层间介质层以及贯穿所述层间介质层的开口，所述开口底部形成有栅极结构，所述栅极结构包括：形成于所述开口底部的高K介质层，和形成于所述高K介质层表面的金属栅电极层，且所述金属栅电极层表面低于所述开口表面；形成覆盖所述金属栅电极层的金属层，所述金属层表面低于所述开口表面；形成覆盖所述栅极结构的保护层，所述保护层与开口表面齐平。形成的半导体器件的稳定性高。 | ||
| 申请公布号 | CN103715134A | 申请公布日期 | 2014.04.09 |
| 申请号 | CN201210379979.9 | 申请日期 | 2012.09.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 三重野文健 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有层间介质层以及贯穿所述层间介质层的开口，所述开口底部形成有栅极结构，所述栅极结构包括：形成于所述开口底部的高K介质层，和形成于所述高K介质层表面的金属栅电极层，且所述金属栅电极层表面低于所述开口表面；形成覆盖所述金属栅电极层的金属层，所述金属层表面低于所述开口表面；形成覆盖所述栅极结构的保护层，所述保护层与开口表面齐平；形成连接所述源区和漏区的第一导电插塞；形成第一导电插塞后，去除所述保护层和金属层，直至暴露出金属栅电极层表面；去除所述保护层和金属层后，形成连接所述金属栅电极层的第二导电插塞。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||