用于n衬底高侧开关的反向极性保护

摘要

本发明涉及用于n衬底高侧开关的反向极性保护。公开一种半导体器件。根据本发明的第一方面，该器件包括：具有衬底的半导体芯片，电耦合到衬底以向衬底提供第一电源电位(VS)和负载电流的第一电源端，和可操作地被提供第二电源电位的第二电源端。第一垂直晶体管集成在半导体芯片中且电耦合在电源端和输出端之间。第一垂直晶体管被配置为根据提供给第一垂直晶体管的栅电极的控制信号向输出端提供负载电流的电流路径。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体芯片，包括衬底；第一电源端，电耦合到衬底以向所述衬底提供第一电源电位和负载电流；第二电源端，能操作地被提供第二电源电位；第一垂直晶体管，集成在所述半导体芯片中并且电耦合在所述电源端和输出端之间，所述第一垂直晶体管被配置为根据提供给所述第一垂直晶体管的栅电极的控制信号向所述输出端提供负载电流的电流路径；控制电路，集成在所述半导体芯片中并且耦合到所述第一垂直晶体管并且被配置为生成所述控制信号来接通和关断所述第一垂直晶体管，所述控制电路包括反向极性保护电路，所述反向极性保护电路包括：第一MOS晶体管，与第一二极管串联耦合，所述MOS晶体管和所述二极管耦合在第一和第二电源端之间；和第一开关电路，耦合到所述第一MOS晶体管并且电连接在第一和第二电源端之间，所述第一开关电路被配置为当所述第二电源电位超过所述第一电源电位达多于给定的阈值时激活所述MOS晶体管。