动态随机存储器元件包

摘要

本发明是一种动态随机存储器元件包，包括基板、晶体管、及磁电容。基板为半导体材料构成，具有主体表面，而晶体管形成于主体表面上，磁电容则形成于晶体管上方的金属层上。磁电容包含：一第一磁层、一形成于第一磁层之上的介电层，以及形成于介电层之上的一第二磁层，其中介电层由一非导体材料所形成，而第一磁层与该第二磁层由一CoNiFe合金所形成。

主权项

1.一动态随机存储器元件包，包含： 一基板，是由半导体材料所构成，具有一主体表面； 一晶体管，形成于该主体表面；以及 一磁电容，形成于一金属层，且该金属层位于该晶体管的上方，其中该磁电容包含： 一第一磁层； 一介电层，形成于该第一磁层之上；以及 一第二磁层，形成于该介电层之上，其中该介电层由一非导体材料所形成，该第一磁层与该第二磁层由一CoNiFe合金所形成，该第一磁层与该第二磁层间的距离大于100埃，该第一磁层与该第二磁层由多层薄膜沉积形成，该多层薄膜的每一层为1纳米厚，其中该第一磁层的偶极方向与该第二磁层的偶极方向相反以产生一磁场防止电荷从该介电层脱离出来； 其中该磁电容的电容值C为： 其中，ε_o为一常数值为8.85e-12；为该磁场所产生的巨磁电容效应，ε_k为该介电层的常数值，f为一调制因子，为10⁶-10¹²，A为该第一磁层与该第二磁层的面积，r为该第一磁层与该第二磁层间的距离；其中更包括：增加形成该第一磁层与该第二磁层的薄膜数目以增加该磁场强度，其中当该磁场增加时，该电容值C亦将增加。