| 发明名称 | 一种ZnO基薄膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开的ZnO基薄膜，在ZnO基薄膜中镶嵌有ZnO基纳米片，ZnO基薄膜及ZnO基纳米片的化学式均为Zn1-xMxO，M=Al、Ga、In、B、Cd或Mg，0≦x＜0.20，纳米片直径在1~5um。制备步骤包括：按化学式Zn1-xMxO计量比称取纯ZnO粉末和纯M氧化物粉末，制成ZnO基陶瓷靶材；用磁控溅射法在衬底上沉积ZnO基薄膜，然后放入腐蚀剂中腐蚀，腐蚀液沿着晶界定向腐蚀后在ZnO：Al薄膜表面形成了ZnO：Al纳米片。由于ZnO基纳米片具有较大的比表面积，因此对光、气体、有机物等具有良好的响应。本发明制备工艺简单、重复性好、易于操作、成本低。 | ||
| 申请公布号 | CN103710675A | 申请公布日期 | 2014.04.09 |
| 申请号 | CN201310696318.3 | 申请日期 | 2013.12.18 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 吕建国;江庆军;袁禹亮;叶志镇 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人 | 韩介梅 |
| 主权项 | 一种ZnO基薄膜，其特征是ZnO基薄膜中镶嵌有ZnO基纳米片，ZnO基薄膜及ZnO基纳米片的化学式均为Zn1‑xMxO ，M = Al、Ga、In、B、Cd或Mg，0≦x＜0.20，纳米片直径在1 ~ 5 um。 | ||
| 地址 | 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 | ||