| 发明名称 | 化合物半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供化合物半导体器件及其制造方法。具体地，提供一种AlGaN／GaN HEMT，其包括：化合物半导体层；形成在化合物半导体层的上侧的源电极和漏电极；以及Al-Si-N层，该Al-Si-N层为设置在源电极和漏电极中的至少一个电极的下部中并且电阻值比源电极和漏电极的电阻值高的高电阻层。 | ||
| 申请公布号 | CN103715247A | 申请公布日期 | 2014.04.09 |
| 申请号 | CN201310376379.1 | 申请日期 | 2013.08.26 |
| 申请人 | 富士通株式会社;富士通半导体股份有限公司 | 发明人 | 镰田阳一;木内谦二 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;全万志 |
| 主权项 | 一种化合物半导体器件，包括：化合物半导体层；形成在所述化合物半导体层的上侧上的一对电极；以及设置在所述一对电极中的至少一个电极的下部中并且其电阻值比所述电极的电阻值高的高电阻层。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||