发明名称 |
自对准双重图形的形成方法 |
摘要 |
一种自对准双重图形的形成方法,包括:提供待刻蚀层,待刻蚀层表面具有第一牺牲层,第一牺牲层的宽度与相邻第一牺牲层之间的距离相同;在第一牺牲层两侧的待刻蚀层表面形成第一掩膜侧墙;在待刻蚀层表面形成覆盖第一掩膜侧墙表面的第二牺牲层,第二牺牲层的表面与第一牺牲层的表面齐平;在形成第二牺牲层之后,去除第一牺牲层,并暴露出待刻蚀层表面;在去除第一牺牲层之后,在第二牺牲层和第一掩膜侧墙两侧的刻蚀层表面形成第二掩膜侧墙,第二掩膜侧墙的剖面形状与第一掩膜侧墙的剖面形状对称;在形成第二掩膜侧墙之后,去除第二牺牲层。采用所形成的双重图形为掩膜进行刻蚀的图形尺寸及形貌统一。 |
申请公布号 |
CN103715080A |
申请公布日期 |
2014.04.09 |
申请号 |
CN201210378503.3 |
申请日期 |
2012.09.29 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
隋运奇 |
分类号 |
H01L21/308(2006.01)I;H01L21/033(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/308(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种自对准双重图形的形成方法,其特征在于,包括:提供待刻蚀层,所述待刻蚀层表面具有第一牺牲层,所述第一牺牲层的宽度与相邻第一牺牲层之间的距离相同;在所述第一牺牲层两侧的待刻蚀层表面形成第一掩膜侧墙;在所述待刻蚀层表面形成覆盖所述第一掩膜侧墙表面的第二牺牲层,所述第二牺牲层的表面与所述第一牺牲层的表面齐平;在形成所述第二牺牲层之后,去除所述第一牺牲层,并暴露出待刻蚀层表面;在去除所述第一牺牲层之后,在所述第二牺牲层和第一掩膜侧墙两侧的刻蚀层表面形成第二掩膜侧墙,所述第二掩膜侧墙的剖面形状与所述第一掩膜侧墙的剖面形状对称;在形成第二掩膜侧墙之后,去除所述第二牺牲层。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |