| 发明名称 | 用于生产半导体器件的方法和场效应半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于生产半导体器件的方法和场效应半导体器件。提供了一种用于生产半导体器件的方法。该方法包括：提供包括主表面和硅层的晶片，该硅层布置在主表面处且具有至少大约3*1014cm-3的氮浓度；以及部分地向外扩散氮，以降低氮至少接近主表面的氮浓度。另外，提供了一种半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN103715072A | 申请公布日期 | 2014.04.09 |
| 申请号 | CN201310692651.7 | 申请日期 | 2013.10.08 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | P·伊尔西格勒;H-J·舒尔策 |
| 分类号 | H01L21/223(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/223(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 马红梅;马永利 |
| 主权项 | 一种用于生产半导体器件的方法，包括：提供包括主表面和硅层的晶片，所述硅层布置在主表面处且具有至少大约3*1014cm‑3的氮浓度；以及部分地向外扩散氮，以降低至少接近主表面的氮浓度。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号 | ||