| 发明名称 | 化合物半导体器件和其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种化合物半导体器件和其制造方法。化合物半导体器件包括：化合物半导体层；以及形成在化合物半导体层上方的栅电极；以及形成在化合物半导体层上的栅电极两侧上的源电极和漏电极，其中源电极在与化合物半导体层的接触表面中具有沿着转移电子的多个底部表面，并且多个底部表面位于距转移电子不同距离处，越接近栅电极的底部表面越远离转移电子。 | ||
| 申请公布号 | CN103715253A | 申请公布日期 | 2014.04.09 |
| 申请号 | CN201310459388.7 | 申请日期 | 2013.09.26 |
| 申请人 | 富士通株式会社;富士通半导体股份有限公司 | 发明人 | 吉川俊英;温井健司 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 杜诚;贾萌 |
| 主权项 | 一种化合物半导体器件，包括：化合物半导体层；以及形成在所述化合物半导体层上侧上的电极对，其中，所述电极对中的一个电极在与所述化合物半导体层的接触表面中具有沿着转移电子的多个底部表面，并且所述多个底部表面位于距所述转移电子不同距离处，越接近所述电极对中的另一电极的所述底部表面越远离所述转移电子。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||