沉积物去除、光学元件保护方法、器件制造法和光刻设备

摘要

沉积物去除、光学元件保护方法、器件制造法和光刻设备本发明提供了一种去除包括光学元件的设备的光学元件上沉积物的方法，该方法包括在该设备的至少一部分内提供含有H2的气体；从含H2气体中的H2产生氢自由基；以及使具有沉积物的光学元件与至少部分氢自由基接触，并且去除沉积物的至少一部分。此外，本发明提供了一种包括光学元件的设备的光学元件的保护方法，该方法包括：通过沉积过程向光学元件提供盖层；和在设备使用期间或使用之后，在如上所述的去除过程中，从光学元件上去除盖层的至少一部分。该方法可用在光刻设备中。

主权项

一种去除包括光学元件的设备的光学元件上的Sn沉积物的方法，其中所述设备是光刻设备（1），所述光刻设备还包括：氢自由基发生器，其被设置成从含H2气体（155）中的H2生成氢自由基（120、165），和沉积物发生器，其被设置成生成沉积物，所述方法包括：通过沉积过程向光学元件（100）提供盖层（125），其中通过灯丝（110）、等离子体或构造成将H2转换成氢自由基的催化剂从所述含H2气体中的H2生成所述氢自由基（120、165）的至少一部分；其特征在于，在所述设备的使用期间，在去除过程中从光学元件上去除该盖层（125）的至少一部分，所述去除过程包括：在该设备的至少一部分内提供含有H2的气体；从含H2气体中的H2产生氢自由基；以及使具有盖层（125）的光学元件（100）与至少部分氢自由基接触，并且去除该盖层的至少一部分。