用于电子装置的电子阻断层

摘要

本发明描述用于例如非易失性存储器装置等电子装置的方法和设备。所述存储器装置包括多层控制电介质，例如双层或三层。所述多层控制电介质包括例如氧化铝(Al2O3)、氧化铪(HfO2)和/或氧化铝铪的混合膜等高k介电材料的组合。所述多层控制电介质提供增强的特性，包括增加的电荷保留、增强的存储器编程/擦除窗口、改进的可靠性和稳定性以及单一或多态(例如，两个、三个或四个位)操作的可行性。

主权项

一种存储器装置的栅极堆叠，所述栅极堆叠包含：电荷存储层，其包含局部化的电荷陷阱且在隧穿介电层上；第一介电层，其具有第一介电常数且在所述电荷存储层上；第二介电层，其具有第二介电常数且在所述第一介电层上，所述第二介电常数低于所述第一介电常数；且第三介电层，具有第三介电常数且安置成邻近于所述第二介电层并且安置成邻近于所述存储器装置的栅极触点，所述第三介电常数高于所述第二介电常数，其中所述第二介电层包括多成分氧化物和/或一元氧化物，且第一和第三介电层的每个包括多成分氧化物和/或具有高介电常数的一元氧化物。