发明名称 一种延迟电路
摘要 为实现上述目的,本实用新型实施例提供了一种低噪声延迟电路,其包括延迟电路和反馈控制电路,所述延迟电路包括MP1、MN1、电阻R1、充电电容C1以及MP2和MN2管组成的反相器,所述MP1、MP2的源极连接电源、MN1和MP1的栅极连接输入端、MN2的源极和MP2的漏极的公共节点连接输出端,R1一端连接在MP1的漏极、另一端连接在MN1的源极、C1第一端接地,第二端连接在所述反相器和R1和MN1的公共节点;所述反馈控制电路包括MP3和MP4,MP4的栅极连接所述输出端,MP4的源极连接在MP3的漏极,MP4的漏极连接在C1的第二端,所述MP3的栅极连接所述输入端,源极连接所述电源。采用本实用新型实施例提供的低噪声延迟电路,可以提高延迟电路的抗干扰能力。
申请公布号 CN203537350U 申请公布日期 2014.04.09
申请号 CN201320669413.X 申请日期 2013.10.28
申请人 无锡中星微电子有限公司 发明人 尹航;王钊
分类号 H03K5/13(2014.01)I 主分类号 H03K5/13(2014.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种低噪声延迟电路,其特征在于,包括延迟电路和反馈控制电路,所述延迟电路包括第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、电阻、充电电容以及第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管组成的反相器,所述第一、第二PMOS管的源极连接电源、所述第一NMOS晶体管和第一PMOS管的栅极连接输入端、所述第二NMOS晶体管的源极和第二PMOS晶体管的漏极的公共节点连接输出端,所述电阻一端连接在所述第一PMOS晶体管的漏极、另一端连接在所述第一NMOS晶体管的源极、所述充电电容第一端接地,第二端连接在所述反相器和所述电阻和所述第一NMOS晶体管的公共节点;所述反馈控制电路包括第三MPOS晶体管和第四PMOS晶体管,所述第四PMOS晶体管的栅极连接所述输出端,所述第四PMOS晶体管的源极连接在所述第三PMOS晶体管的漏极,所述第四PMOS晶体管的漏极连接在所述充电电容的第二端,所述第三PMOS晶体管的栅极连接所述输入端,所述第三PMOS晶体管的源极连接所述电源。
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