发明名称 一种整流电路以及包括该整流电路的射频识别标签芯片
摘要 本发明公开了一种整流电路以及包括该整流电路的射频识别标签芯片。一种整流电路的射频识别标签芯片包括的整流电路包括:第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第一反相器、第二反相器、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一电容C1、第三PMOS晶体管、第一电阻R1、第二电容C2、第二电阻R2;其中第二电容C2为负载电容,第二电阻R2为负载电阻,均用来表征整流电路的负载。本发明通过采用静态阈值消除技术降低反向漏电流来大大提高整流电路的工作效率。该整流电路电路结构简单,几乎不增加芯片面积和额外功耗;因此,该整流电路的能量转换损失小,工作效率得到大大提高。
申请公布号 CN103715920A 申请公布日期 2014.04.09
申请号 CN201310676970.9 申请日期 2013.12.11
申请人 杭州电子科技大学 发明人 王彬;张永生;吕经纬
分类号 H02M7/217(2006.01)I;G06K19/07(2006.01)I 主分类号 H02M7/217(2006.01)I
代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人 杜军
主权项 一种整流电路,其特征在于包括第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第一反相器、第二反相器、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一电容C1、第三PMOS晶体管、第一电阻R1、第二电容C2、第二电阻R2;第一NMOS晶体管漏极和衬底、第二NMOS晶体管栅极、第一PMOS晶体管漏极、第一反相器的输入端均与信号源Vin的一端连接;第一NMOS晶体管的栅极、第二NMOS晶体管漏极和衬底、第二PMOS晶体管的漏极、第二反相器的输入端与信号源Vin的另一端连接;第一NMOS晶体管的源极、第二NMOS晶体管的源极连接到地端GND端;第一PMOS晶体管的衬底和源极、第二PMOS晶体管的衬底和源极、第三PMOS晶体管的衬底和源极、第一电容C1的正端、第一反相器的PMOS的源极、第二反相器的PMOS源极、第二电容C2的正端、第二电阻R2的一端连接到整流器的输出端节点Vout;第二电容C2的负端、第二电阻R2的另一端连接到地端GND端;第一反相器的NMOS源极、第二反相器的NMOS源极、第一电容C1的负端、第三PMOS晶体管的栅极和漏极连接到第一电阻R1的一端;第一电阻R1的另一端连接到地端GND端;第一反相器的输出端连接到PMOS晶体管的栅极;第二反相器的输出端连接到PMOS晶体管的栅极。
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