| 发明名称 | 封装片被覆半导体元件、其制造方法、半导体装置以及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及封装片被覆半导体元件、其制造方法、半导体装置以及其制造方法，所述封装片被覆半导体元件的制造方法包括如下工序：半导体元件配置工序，相互隔着间隔地配置多个半导体元件；以及，封装片配置工序，对封装片进行配置，以使其被覆多个半导体元件、并且在相互邻接的半导体元件间形成空间。 | ||
| 申请公布号 | CN103715337A | 申请公布日期 | 2014.04.09 |
| 申请号 | CN201310465290.2 | 申请日期 | 2013.10.08 |
| 申请人 | 日东电工株式会社 | 发明人 | 片山博之;近藤隆;江部悠纪;三谷宗久;大薮恭也 |
| 分类号 | H01L33/48(2010.01)I;H01L33/50(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/48(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种封装片被覆半导体元件的制造方法，其特征在于，包括如下工序：半导体元件配置工序，相互隔着间隔地配置多个半导体元件，以及，封装片配置工序，对封装片进行配置，以使其被覆所述多个半导体元件、并且在相互邻接的所述半导体元件间形成空间。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||