发明名称 |
薄膜晶体管及其制备方法、显示器件 |
摘要 |
本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示器件,该薄膜晶体管包括有源层、刻蚀阻挡层、源电极和漏电极,有源层包括:至少一个第一有源部分以及位于第一有源部分两侧且与第一有源部分连接的第二有源部分和第三有源部分;至少一个第一有源部分被刻蚀阻挡层覆盖,且其纵向宽度小于第二有源部分和/或第三有源部分;第二有源部分和第三有源部分被第一有源部分上的刻蚀阻挡层的横向延伸部部分覆盖,其中,当第一有源部分的纵向宽度小于第二有源部分时,第二有源部分与源电极形成边翼接触,当第一有源部分的纵向宽度小于第三有源部分时,第三有源部分与漏电极形成边翼接触。本发明可以减小刻蚀阻挡层结构的薄膜晶体管的沟道长度。 |
申请公布号 |
CN103715270A |
申请公布日期 |
2014.04.09 |
申请号 |
CN201310752923.8 |
申请日期 |
2013.12.31 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司 |
发明人 |
郑在纹;崔仁哲;崔星花 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
北京银龙知识产权代理有限公司 11243 |
代理人 |
许静;黄灿 |
主权项 |
一种薄膜晶体管,包括有源层、刻蚀阻挡层、源电极和漏电极,其特征在于:所述有源层包括:至少一个第一有源部分以及位于所述第一有源部分两侧、且与所述第一有源部分连接的第二有源部分和第三有源部分;所述至少一个第一有源部分被所述刻蚀阻挡层覆盖,且其纵向宽度小于所述第二有源部分和/或所述第三有源部分;所述第二有源部分和所述第三有源部分被所述第一有源部分上的刻蚀阻挡层的横向延伸部部分覆盖,其中,当所述第一有源部分的纵向宽度小于所述第二有源部分时,所述第二有源部分与所述源电极形成边翼接触,当所述第一有源部分的纵向宽度小于所述第三有源部分时,所述第三有源部分与所述漏电极形成边翼接触。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |