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一种大深宽比TSV通孔分步刻蚀和侧壁修饰方法，其特征在于包括下述步骤：1）在P<100>型单晶硅晶圆表面用PE CVD方法淀积一层1μm~1.5μm SiO2，并在SiO2表面涂光刻胶，曝光显影，露出需要刻蚀的二氧化硅窗口，所述的窗口图形为圆孔，孔直径5μm~30μm；2）用等离子干法刻蚀方法在露出的窗口处进行二氧化硅层的刻蚀，一直刻蚀至单晶硅晶圆表面；3）进行优化的多步Bosch刻蚀工艺，刻蚀气体使用SF6，钝化气体使用C4F8，刻蚀机台Bias、Source功率值、气体流量值、刻蚀/钝化时间比在以下每一步骤变化时均在初始值的基础上变化，所述初始值为单步Bosch刻蚀工艺参数的设定值，具体工艺步骤如下：步骤1.刻蚀通孔顶部时，C4F8流量增加初始值的1/6~1/3，SF6流量减少初始值的1/6~1/3；在初始值的基础上，增加钝化时间1s~2s，减少刻蚀时间1s~2s，Bias为初始值，Source功率值减少初始值的1/6~1/5；此步骤作业时间为10min~15min；步骤2.刻蚀通孔中部时，气体流量值、刻蚀/钝化时间比、Source功率值改为初始值，Bias功率值增加初始值的1/5~1/4；此步骤作业时间20min~30min；步骤3.刻蚀通孔底部时，在初始值的基础上增大1/6~1/3SF6流量，减少1/6~1/3C4F8流量，增加刻蚀间1s~2s，减少钝化时间1s~2s；Bias功率值增加初始值的1/4~1/2，Source功率值增加初始值的1/6~1/5；此步骤作业时间10min~15min；步骤4.通孔刻蚀深度达到要求后，停止钝化气体C4F8保护，通入各向同性刻蚀气体SF6，SF6气体流量100sccm~150sccm，Bias、Source功率值为初始值；此步骤作业时间30s~1min。 |
