双相介金属互连结构及其制作方法

摘要

一种双相介金属互连结构及其制作方法。所述双相介金属互连结构介于芯片与载板之间，包括第一介金属相、第二介金属相、第一焊接金属层以及第二焊接金属层。第二介金属相包覆第一介金属相，且第一介金属相与第二介金属相含有不同的高熔点金属。第一焊接金属层与第二焊接金属层分别配置于第二介金属相的相对两侧，其中第一介金属相是用以填补第二介金属相形成时产生的微孔洞缺陷。

主权项

一种双相介金属互连结构，介于一芯片与一载板之间，其特征在于所述结构包括：第一介金属相；第二介金属相，包覆该第一介金属相，且该第一介金属相与该第二介金属相分别含有不同的高熔点金属；以及第一焊接金属层与第二焊接金属层，分别配置于该第二介金属相的相对两侧；其中该第一介金属相是用以填补该第二介金属相形成时因体积收缩而产生的微孔洞缺陷。