| 发明名称 | 用于外延工艺的半导体制造设备 | ||
| 摘要 | 根据本发明一实施例，一种半导体制造设备，其特征在于，所述半导体制造设备包括：清洗腔室，其实现对基板的清洗工艺；外延腔室，其实现在所述基板上形成外延层的外延工艺；以及搬运腔室，其侧面与所述清洗腔室及所述外延腔室连接，并且具备向所述外延腔室搬运已完成所述清洗工艺的所述基板的基板处理器，所述清洗腔室具备：反应腔室，其与所述搬运腔室的侧面连接，并实现对所述基板的反应工艺；及加热腔室，其与所述搬运腔室的侧面连接，并实现对所述基板的加热工艺，所述反应腔室和所述加热腔室以上下形式载置。 | ||
| 申请公布号 | CN103718273A | 申请公布日期 | 2014.04.09 |
| 申请号 | CN201280037860.1 | 申请日期 | 2012.07.31 |
| 申请人 | 株式会社EUGENE科技 | 发明人 | 金荣大;玄俊镇;禹相浩;申承祐;金海元 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/302(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人 | 杨勇;郑建晖 |
| 主权项 | 一种半导体制造设备，其特征在于，所述半导体制造设备包括：清洗腔室，其实现对基板的清洗工艺；外延腔室，其实现在所述基板上形成外延层的外延工艺；以及搬运腔室，其侧面与所述清洗腔室及所述外延腔室连接，并且具备将已完成所述清洗工艺的所述基板搬运至所述外延腔室的基板处理器，所述清洗腔室具备：反应腔室，其与所述搬运腔室的侧面连接，并实现对所述基板的反应工艺；及加热腔室，其与所述搬运腔室的侧面连接，并实现对所述基板的加热工艺，所述反应腔室和所述加热腔室以上下形式载置。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道龙仁市 | ||