发明名称 一种单线圈永磁机构驱动电路
摘要 本实用新型属于开关设备中单线圈永磁机构的技术领域,具体来说是一种单线圈永磁机构驱动电路,包括4个IGBT单元和第一压敏电阻;4个IGBT单元的排列方式呈桥式结构;每个IGBT单元均包括有IGBT、大功率电阻和高压瓷片电容;驱动电路还包括有一个保护电路,包括有无感电容和第二压敏电阻。本实用新型通过设置具有桥式结构的驱动电路,可以便捷的实现永磁机构的合闸与跳闸动作,同时设置的保护电路,在驱动电路有瞬时的强电压来时能够起到吸收和释放能量的作用,从而达到保护IGBT不被击穿的危险。
申请公布号 CN203536256U 申请公布日期 2014.04.09
申请号 CN201320696317.4 申请日期 2013.11.06
申请人 上海东自电气有限公司 发明人 包悦;夏卫红
分类号 H01H9/54(2006.01)I;H02H7/20(2006.01)I 主分类号 H01H9/54(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种单线圈永磁机构驱动电路,其特征在于:包括4个IGBT单元和第一压敏电阻;每个所述IGBT单元均包括有IGBT、大功率电阻和高压瓷片电容;第一IGBT单元中,第一IGBT的栅极分别与跳闸电容的正极和第一高压瓷片电容的一端相连,所述第一高压瓷片电容的另一端与第一大功率电阻的一端相连,所述第一大功率电阻的另一端与所述第一IGBT的源极相连,所述第一IGBT的漏极与开关线圈的出线侧相连;第二IGBT单元中,第二IGBT的栅极分别与所述开关线圈的出线侧和第二高压瓷片电容的一端相连,所述第二高压瓷片电容的另一端与第二大功率电阻的一端相连,所述第二大功率电阻的另一端与所述第二IGBT的源极相连,所述第二IGBT的漏极与电容的负极相连;第三IGBT单元中,第三IGBT的栅极分别与合闸电容的正极和第三高压瓷片电容的一端相连,所述第三高压瓷片电容的另一端与第三大功率电阻的一端相连,所述第三大功率电阻的另一端与所述第三IGBT的源极相连,所述第三IGBT的漏极与开关线圈的进线侧相连;第四IGBT单元中,第四IGBT的栅极分别与所述开关线圈的进线侧和第四高压瓷片电容的一端相连,所述第四高压瓷片电容的另一端与第四大功率电阻的一端相连,所述第四大功率电阻的另一端与所述第四IGBT的源极相连,所述第四IGBT的漏极与所述电容的负极相连;所述第一压敏电阻的一端与所述开关线圈的出线侧相连,所述第一压敏电阻的另一端与所述开关线圈的进线侧相连。
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