发明名称 |
基于铽的探测器闪烁体 |
摘要 |
一种成像系统(100)包括辐射源(110)和辐射敏感探测器阵列(116),所述辐射敏感探测器阵列包括闪烁体阵列(118)和被光学耦合到所述闪烁体阵列的光传感器阵列(120),其中,所述闪烁体阵列包括Gd2O2S:Pr,Tb,Ce。一种方法,包括利用成像系统(100)的辐射敏感探测器阵列(116)探测辐射,其中,所述辐射敏感探测器阵列包括基于Gd2O2S:Pr,Tb,Ce的闪烁体阵列(118)。一种辐射敏感探测器阵列(116)包括闪烁体阵列(118)和被光学耦合到所述闪烁体阵列的光传感器阵列(120),其中,所述闪烁体阵列包括Gd2O2S:Pr,Tb,Ce,并且Gd2O2S:Pr,Tb,Ce中Tb3+的量等于或小于200摩尔百万分率。 |
申请公布号 |
CN103718063A |
申请公布日期 |
2014.04.09 |
申请号 |
CN201280037639.6 |
申请日期 |
2012.07.03 |
申请人 |
皇家飞利浦有限公司 |
发明人 |
C·R·龙达;N·康拉茨;H·奥兰德;H·施赖讷马赫尔 |
分类号 |
G01T1/202(2006.01)I;C09K11/77(2006.01)I;G21K4/00(2006.01)I |
主分类号 |
G01T1/202(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
刘瑜;王英 |
主权项 |
一种成像系统(100),包括:辐射源(110);以及辐射敏感探测器阵列(114),其包括:闪烁体阵列(118);以及光传感器阵列(120),其被光学耦合到所述闪烁体阵列,其中,所述闪烁体阵列包括Gd2O2S:Pr,Tb,Ce。 |
地址 |
荷兰艾恩德霍芬 |