| 发明名称 | 介电组合物和使用该介电组合物制造的多层陶瓷电子器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种介电组合物和使用该介电组合物制造的多层陶瓷电子器件，所述介电组合物包括：具有由ABO3表示的钙钛矿结构的介电颗粒，一部分所述介电颗粒具有芯-壳结构，其中芯的平均长度等于或小于250nm且芯的平均长度与介电颗粒的平均长度的比低于0.8的介电颗粒占具有芯-壳结构的那部分介电颗粒的50%或更多，使得使用该介电组合物制造的多层陶瓷电子器件可具有出色的可靠性并保证高介电常数。 | ||
| 申请公布号 | CN103708823A | 申请公布日期 | 2014.04.09 |
| 申请号 | CN201310013131.9 | 申请日期 | 2013.01.14 |
| 申请人 | 三星电机株式会社 | 发明人 | 姜晟馨;崔斗源;宋旻星 |
| 分类号 | C04B35/468(2006.01)I;C04B35/47(2006.01)I;C04B35/472(2006.01)I;C04B35/465(2006.01)I;C04B35/48(2006.01)I;H01G4/12(2006.01)I;H01G4/30(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/468(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 李静;陈伟伟 |
| 主权项 | 一种介电组合物，包括具有由ABO3表示的钙钛矿结构的介电颗粒，一部分的所述介电颗粒具有芯‑壳结构，其中芯的平均长度等于或小于250nm且所述芯的平均长度与介电颗粒的平均长度的比低于0.8的介电颗粒为具有芯‑壳结构的所述一部分的所述介电颗粒的50%或更多。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||