| 发明名称 | 阻变存储器件及存储装置和具有存储装置的数据处理系统 | ||
| 摘要 | 一种阻变存储器件，包括：第一电极层、第二电极层以及第一可变电阻层和第二可变电阻层，所述第一可变电阻层和第二可变电阻层在第一电极层和第二电极层之间层叠至少一次。第一可变电阻材料层可以包括具有电阻率高于第一电极层或第二电极层并且小于或等于绝缘材料的金属氮化物层。 | ||
| 申请公布号 | CN103715354A | 申请公布日期 | 2014.04.09 |
| 申请号 | CN201310369694.1 | 申请日期 | 2013.08.22 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 朴祐莹;李起正;金范庸 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 俞波;毋二省 |
| 主权项 | 一种阻变存储器件，包括：第一电极层；第二电极层；以及第一可变电阻材料层与第二可变电阻材料层的至少一个叠层，所述叠层被设置在所述第一电极层与第二电极层之间，其中，所述第一可变电阻材料层包括金属氮化物层，以及其中，在复位状态下，所述第一可变电阻材料层的电阻率：（i）高于所述第一电极层或所述第二电极层的电阻率，并且（ii）小于或等于所述第二可变电阻材料层的电阻率。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||