| 发明名称 | 石墨烯纳米网的制造方法和半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 在石墨烯（11）上堆积多个粒子（12），该粒子具有在规定的温度以上吸收碳的性质。进行加热直至粒子（12）的温度为规定的温度以上，使粒子（12）吸收构成石墨烯（11）的该粒子（12）下面的部分的碳。除去粒子（12）。由此得到石墨烯纳米网（10）。 | ||
| 申请公布号 | CN103718296A | 申请公布日期 | 2014.04.09 |
| 申请号 | CN201180072619.8 | 申请日期 | 2011.07.29 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 佐藤信太郎;岩井大介 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;B82Y30/00(2006.01)I;B82Y40/00(2006.01)I;C01B31/02(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/16(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L31/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 苗堃;赵曦 |
| 主权项 | 一种石墨烯纳米网的制造方法，其特征在于，具有以下工序：在石墨烯上堆积多个粒子工序，所述粒子具有在规定的温度以上吸收碳的性质；进行加热直至所述粒子的温度为所述规定的温度以上，使所述粒子吸收构成所述石墨烯的该粒子下面的部分的碳的工序；和除去所述粒子的工序。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||